ひずみ測定の精度に及ぼす収束角の影響

Gatan社使用装置

The GIF Continuum^® with Stela*^® とSTEMx^® システムは、eaSI™ テクノロジーを活用しSTEMのプローブとStelaの高速フレームレートを同期させ、高いクオリティの4D STEMデータセットを高速取得します。

研究の背景

ひずみ工学は薄膜に引張ひずみや圧縮ひずみを意図的に導入することで薄膜の機能面での特性を制御するものです。最先端の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)では、チャネル幅が20 nm以下であることから導入されたひずみを高い空間分解能で測定することが極めて重要です。4D STEMを用いてひずみマッピングを行う際には、ブラッグ角(θ_B)が収束半値角(α)よりも大きいコッセル・メーレンシュテット条件で行う必要があります。今回、収束半値角(α)がひずみ測定の精度に大きく影響することを示します。