SEMを用いたハロゲン混合型ペロブスカイト半導体の化学組成的・結晶学的解析

使用装置

EDAX^® Clarity™ Super EBSD検出器 OnPoint™ 型反射電子検出器を用いたビームセンシティブ材料の観察

背景

セシウムハロゲン化物などのペロブスカイト半導体は、その優れた光電特性と光電子特性、および製造コストの低さから、高効率太陽電池や発光ダイオードとして大きな関心を集めています。一般に、セシウムハロゲン化物ペロブスカイトは、CsPb(Br_xI_1-x)₃ または Cs₄Pb(Br_xI_1-x)₆ (0 < x < 1)  の化学式となります。また、化学組成によりいくつかの異なる結晶構造が存在し、Br/I 比も変化します。これらはいずれも、デバイスの結晶粒組織、光学特性、および光起電性能に大きな影響を与えます。改良されたデバイスの開発には、これらの材料の形態、結晶構造、および組成を特徴付けることが重要です。ただし、結晶粒サイズが小さく、電子照射によるダメージで結晶構造が壊れやすいため、SEMを用いた化学的および結晶学的な分析を行うことが非常に困難な材料です。