半导体方向的电子能量损失谱

EAG Laboratories为来自工业界、国家实验室以及政府机构的研究人员们提供针对许多不同种类的，经纳米工程制造的材料的分析。对于硅器件来说，实际上所有的关键材料问题都来自于界面或与界面有关。STEM-EELS谱像分布是在原子级分辨率上研究材料结构和化学信息的得力工具。工业界广泛运用这一表征技术进行材料表征与失效分析。在现代电镜上，往往可以在亚埃尺度的STEM探针达到nA级别的束流大小，但不幸的是如此大的束流也能很快损伤半导体和介电材料。因此，我们非常需要能够实现短像素驻留时间以及高速读出的高速EELS谱仪。近来，GIF Continuum的推出有效提高了纳米器件分析的空间分辨率。在本次演讲中，我们将通过STEM-EELS分析在3D-NAND器件中的运用展现这一技术的进展。