网络研讨会:材料纳米尺度原位电子能量损失谱学表征

本次网络研讨会介绍了在材料原位表征中芯损失和低能损失电子能量损失谱学(core-loss and low-loss EELS)的应用。对还原过程、空位有序化以及气-固反应的原位观察能够通过原位 STEM EELS 实现。非接触电子束(aloof beam) EELS 能够对样品的近表面区域进行表征,特别是对于电子束辐照敏感的体系来说更为有用。对于在气相和液相中的反应,EELS 同样能够被用来对周围气相或液相中的成分变化进行表征,运用于针对催化表征或电化学环境中的电解液变化的 operando 原位电镜表征。振动模式 EELS (vibrational EELS) 的最新进展打开了原位表征的新领域,并且随着先进单色器的普遍化,这一领域将继续深入发展。

阴极发光详解 第 1 集: 入门介绍

本次研讨会对阴极发光技术及其关键应用挑战进行了介绍,并展示了来自纳米光电学、微型 LED 器件开发与微区分析等领域的最新研究结果。

在中心实验平台对多样化的生物样品进行成像

本次网络研讨会展示了在加州大学伯克利分校电子显微实验室,经由Rio相机在不同种类的生物样品中采集的数据。

Addressing Data Challenges for Cryo-EM

This webinar provides information about the underlying computational infrastructure that enables stable operation of a cryo-EM facility.

Observing sample dynamics using in-situ EELS and heating webinar

This webinar will introduce the types of information you can obtain using in-situ EELS. Practical examples will be shown by reviewing published in-situ EELS work as well as unpublished in-situ EELS videos obtained using the GIF Quantum K2 IS system.

利用高速直接探测相机进行4D-STEM表征

在这场网络研讨会中,我们探讨了4D-STEM带来的新机会与新挑战。

环境条件下的原位实验—快之美

本次网络视频会中,我们将展示利用环境原位电镜来研究纳米颗粒的催化过程。上述研究结果在法国里昂CLYM (www.clym.fr) 的一台300 kV球差矫正环境电镜上获得。

Webinar: Nanocathodoluminescence reveals the optical properties of III-nitride LEDs

During this webinar Dr. Griffiths will describe how nanocathodoluminescence (nanoCL) can reveal the optical properties of individual InGaN quantum wells (QW) in high efficiency light emitting diodes.

快速反应和纳米生长的成像研讨会

Presentation courtesy of Eric Stach, Brookhaven National Laboratory

在本次网络研讨会Eric A. Stach博士将描述材料科学领域的直接电子探测器的影响。特别是,能够直接采用电子显微镜高速成像观测纳米级材料的反应过程,能极大增加我们对材料的生长的科学知识,由此深刻影响我们在催化剂研究和材料的发现和设计方面的成果。研讨会还将包含大数据处理这些具体的实验问题。
主持人
Eric A. Stach
电子显微镜协会会长长
布鲁克海文国家实验室

关于K2相机的更多信息,请访问www.gatan.com/k2IS

3D NAND和FinFET器件的化学组成及成分分析

学习电子能量损失谱(EELS)和能谱(EDS)信号的性能互补特性,从而了解为何在做透射电镜材料成分分析的时候,总是非常推荐同时采集这两者的信号进行融合分析。在电子类仪器和探测器显著的技术进展下,现在使我们可以获取EELS-EDS的联合谱图数据,从而既可大尺度下分析材料的成分分布,又可在原子尺度进行材料的成分分析。在本教程中,我们将展示在不同的实验条件下获取的数据,从而展示EELS和EDS技术的互补性,以及各自擅长的应用领域。特别是,本教程将主要集中讨论一些最新一代的3D NAND存储器和目前在市场上销售的FinFET器件的化学组成及成分分析。

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