概述:
什么是 EDS？
x 射线能谱法（EDS、EDX、XEDS）是用于样品分析和表征的分析技术。
元素成分分析是了解异物、涂层成分、小组成材料、快速合金识别、评估腐蚀，以及相位识别和分布的关键所在。Gatan 的 EDS 工具可进行定性和定量分析，还可以绘制元素图，帮助在这些类型的材料研究过程中确定显微结构。
由于改变局部化学环境原子成键对 EDS 影响甚微，因此它并非样品化学分析的首选技术。但是，它非常适合用于确定样品的元素分布。通过与电子能量损失谱 (EELS) 结合使用，您可以轻松分析样品的化学和成分构成。
与类似技术不同，EDS 的设置要求极低，从半薄型样品到大块样品均适用；厚度不受限制。EDS 还提供极高的信背比 (SBR)。EDS 的一些限制包括：非局部荧光；低阻抗极限；以及有限的薄膜信背比 (SNR)。
在下例中，对半导体样品进行 EELS 分析后，Sr L2,3-边缘的能量为 1,940 eV，不在 0 – 850 eV 能量范围（上图）之内。当使用光谱成像来获取 EDS Sr 元素图与 EELS Ti、Fe 和 La 元素图（下图）时，集合彩色图显示了各元素广泛的能量范围分布。
DigitalMicrograph，或称为 Gatan Microscopy Suite，驱动您的电子相机和其他附件以支持一系列重要应用，包括断层扫描、原位、谱学和衍射成像等。
Cipher® – The first and only system that quantitatively reveals the distribution of lithium in scanning electron microscopes
