再現性良く試料を作製し、ソフトマテリアルにおける構造変化を測定できます。この構造変化によって遷移金属内に応力やひずみを生じ、電子伝導率に影響を与え、製品のエネルギー出力量を低下させる不可逆的な相変化を引き起こします。
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更なる微細化と新たな三次元構造の製品化への道筋をつけ、デバイス性能の向上を実現するために、材料の複雑さと欠陥をより深く理解することができます。
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Han, L.; Addiego, C.; Prokhorenko, S.; Wang, M.; Fu, H.; Nahas, Y.; Yan, X.; Cai, S.; Wei, T.; Fang, Y.; Liu, H.; Ji, D.; Guo, W.; Gu, Z.; Yang, Y.; Wang, P.; Bellaiche, L.; Chen, Y.; Wu, D.; Nie, Y.; Pan, X.
Kim, S. C.; Huang, W.; Zhang, Z.; Wang, J.; Kim, Y.; Jeong, Y. K.; Oyakhire, S. T.; Yang, Y.; Cui, Y.
Kim, M. S.; Zhang, Z.; Rudnicki, P. E.; Yu, Z.; Wang, J.; Wang, H.; Oyakhire, S. T.; Chen, Y.; Kim, S. C.; Zhang, W.; Boyle, D. T.; Kong, X.; Xu, R.; Huang, Z.; Huang, W.; Bent, S. F.; Wang, L. -W.; Qin, J.; Bao, Z.; Cui , Y.
Yu, Z.; Rudnicki, P. E.; Zhang, Z.; Huang, Z.; Celik, H.; Oyakhire, S. T.; Chen, Y.; Kong, X.; Kim, S. C.; Xiao, X.; Wang, H.; Zheng, Y.; Kamat, G. A.; Kim, M. S.; Bent, S. F.; Qin, J.; Cui, Y.; Bao, Z.
Sharangi, P.; Pandey, E.; Mohanty,S.; Nayak, S.; Bedanta, S.
Zaccagnini, P.; Ballin, C.; Fontana, M.; Parmeggiani, M.; Bianco, S.; Stassi, S.; Pedico, A.; Ferrero, S.; Lamberti, A.
Liting Yang, L.; Li, X.; Pei, K.; You, W.; Liu, X.; Xia, H.; Wang, Y.; Che, R.
Behera, P.; May, M. A.; Gómez-Ortiz, F.; Susarla, S.; Das, S.; Nelson, C. T.; Caretta, L.; Hsu, S. -L.; McCarter, M. R., Savitzky, B. H.; Barnard, E. S.; Raja, A.; Hong, Z.; García-Fernandez, P.; Lovesey, S. W.; van der Laan, G.; Ophus, C.; Martin, L. W.; Junquera, J.; Raschke, M. A.; Ramesh, R.
Giusto, P.; Cruz, D.; Heil, T.; Tarakina, N.; Patrini, M.; Antonietti, M.
Murthy, A. A.; Stanev, T. K.; Ribet, S. M.; Liu, P.; Watanabe, K.; Taniguchi, T.; Stern, N. P.; dos Reis, R.; Dravid, V. P.
Balch, H. B., Evans, A. M., Dasari, R. R., Li, H., Li, R., Thomas, S., Wang, Q., Bisbey, R. P., Slicker, K., Castano, I., Xun, S., Jiang, L., Zhu, C., Gianneschi, N., Ralph, D. C., Brédas, J-L., Marder, S. R., Dichtel, W. R., Wang, F.
Zhang, Z.; Yang, J.; Huang, W.; Wang, H.; Zhou, W.; Li, Y.; Li, Y.; Xu, J.; Huang, W.; Chiu, W.
Li, H. -K.; de Souza, J. P.; Zhang, Z.; Martis, J.; Sendgikoski, K.; Cumings, J.; Bazant, M. Z.; Majumdar, A.
Fang, C.; Li, J.; Zhang, M.; Zhang, Y.; Yang, F.; Lee, J. Z.; Lee, L. M. -H.; Alvarado, J.; Schroeder, M. A.; Yang, Y.; Lu, B.; Williams, N.; Ceja, M.; Yang, L.; Cai, M.; Gu, J.; Xu, K.; Wang, X.; Meng, Y. S.
Pan, J.; Chen, S.; Fu, Q.; Sun, Y.; Zhang, Y.; Lin, N.; Gao, P.; Yang, J.; Qian, Y.
Pan, J.; Chen, S.; Zhang, D.; Xu, X.; Sun, Y.; Tian, F.; Gao, P.; Yang, J.
Yasin, F. S.; Harvey, T. R.; Chess, J. J.; Pierce, J. S.; Ophus, C.; Ercius, P.; McMorran, B. J.
Gammer, C.; Ophus, C.; Pekin, T. C.; Eckert, J.; Minor, A. M.
Gatan Microscopy Suiteとしても知られるDigitalMicrographソフトウェア。デジタルカメラの制御と共に、電子線トモグラフィ、その場観察、スペクトラムイメージング、ディフラクションイメージング、その他多くのアプリケーションをサポート。
Enabling optically-coupled transmission electron microscopy to reveal nanoscale structural, optical, and electronic properties
EELS および EFTEM システムは、マルチユーザー施設に最適で、Stela ハイブリッド ピクセル オプションも備えています。
EDAX Octane Elite SDDの革新的な進歩が検出器テクノロジーを次のレベルに進めます。この検出器のシリーズは、軽元素検出のための低エネルギー感度と低電圧マイクロアナリシスを目覚しく向上させる、新しいシリコンナイトライド (Si3N4) 製ウィンドウを採用しています。
最新のシリコン ドリフト検出器 (SDD) 技術と高速エレクトロニクスを組み込んだ、強化されたエネルギー分散型 X 線分光法 (EDS) プラットフォームです。
コンパクトなパッケージで強力なエネルギー分散分光法 (EDS) 分析機能を提供し、合理化された操作で迅速な結果と使いやすさを保証すると同時に、パフォーマンスと柔軟性を最大限に高めます。
エネルギー分散型 X 線分光法 (EDS)、電子後方散乱回折法 (EBSD)、波長分散型分光法 (WDS) の最新技術を 1 つの分析ツールに統合します。
EDAX Neptune は、エネルギー分散分光法 (EDS) と波長分散分光法 (WDS) の分析技術を単一のプラットフォームに統合することにより、EDS のパワーと柔軟性に加え、WDS の解像度、精度、検出限界も提供します。



































